深圳2024年10月18日/美通社/ -- 由思坦科技与南边科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技能立异中心（姑苏）联合攻关的重大效果——根据高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 显现的无掩膜光刻技能，于10月15日正式在世界顶尖威望学术期刊上宣布。思坦科技Micro-LED研讨院青年研讨员冯锋博士为榜首作者，思坦科技创始人刘召军博士为通讯作者。本项作业中由思坦科技供给驱动IC芯片，并承当演示运用作业。
本次报导，既代表思坦科技在 Micro-LED 无掩膜光刻范畴取得了打破性效果，一起也标志着半导体职业的制作工艺行将迎来革命性发展。
在集成电路芯片制作中，光刻是至关重要的一个环节。光刻技能是指在光照效果下，凭借光刻胶将掩膜版上的图形转移到晶圆上的技能。因为光刻的工艺水平直接决议芯片的制程水平缓功能水平，光刻成为芯片制作中最杂乱、最要害的工艺进程。且传统光刻机的机械结构较为杂乱、体系体积十分巨大，有关技能被欧美发达国家所独占封闭，也成为半导体职业的卡脖子技能。
在传统光刻进程中，掩膜版的制作和替换本钱昂扬，光刻功率也遭到多重约束。而思坦科技研制的高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 技能，运用无掩膜光刻的办法，不只处理了半导体制作中的要害技能瓶颈，还供给了一条制作本钱更低、曝光功率更加高的处理方案。
该技能的中心在于运用铝镓氮（AlGaN）资料制作动身光波长为 270 纳米的深紫外 Micro-LED，这些 LED 像素尺度仅为 3 微米，外量子功率到达 5.7%，发光亮度达 396 W/cm²，克服了传统光刻技能中的光功率约束。通过 CMOS 驱动直接显现曝光图画，深紫外 Micro-LED 显现技能完成了图画与光源的集成，避免了掩膜版的杂乱操作的进程。此外，分辨率高达 320×140 像素、像素密度为 2540 PPI的 UVC Micro-LED 显现屏展示了其在半导体范畴精细制作中的巨大潜力。
现在，这种根据深紫外Micro-LED显现技能的无掩膜光刻办法，现已被验证成功运用于 Micro-LED 显现屏幕的制作中。这一打破明显节省了光刻掩模板制作的高本钱，一起在功率上远超电子束直写的无掩膜曝光技能。
更具划年代含义的是，该研讨标志着深紫外 Micro-LED 技能将敞开无掩膜光刻的立异处理方案，这关于包含半导体在内的很多职业而言都是一项革命性发展。
作为专心于光子学范畴的专业期刊，Nature Photonics宣布高质量、通过同行评定的研讨效果，内容包含光的发生、操作和检测的每个方面。本次思坦科技联合研讨效果在Nature Photonics上的宣布，再次表现了思坦科技的研制技能和产业化实力。
接下来，思坦团队将持续提高 AlGaN 深紫外 Micro-LED 的各项功能，并对原型机进行改善，开发2~8k高分辨率的深紫外 Micro-LED 显现产品，为半导体制作范畴供给更高效、更具本钱效益的芯片制作处理方案，助力全球科学技能产业的快速晋级。或许在不久的未来，便可在科研、医疗、特别场景运用等范畴内见证该项技能的产业化运用。
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